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高阶连线装置仍以SiP封装形式进行整合为最佳解

发布日期:2021-04-01 11:24

  第五届「2017国际RF-SOI论坛」9月底在上海举办,延续2016年会议主题「物联网和5G」,表明RF-SOI产业链延伸其触角进入新兴应用的决心。

  得益于优异的性价比优势,RF-SOI技术已广泛应用于智能型手机、Wi-Fi等无线通讯领域。

  随着行动网络从3G/4G向LTE或5G升级,设计将会更加复杂,此时对RF-SOI需求也将进一步增大。

  此外,随着物联网时代飞速到来,全球将迎来新一轮智能型手机的更新汰换,这一切都需要更成熟的RF技术支持,并为RF-SOI带来巨大的市场需求与挑战,更重要的是RF-SOI可和硅材料进行SOI的深具发展潜力,而SOI芯片的供应能力更加举足轻重。

  如下表所示,若要适用于4G高阶行动装置的RFFE,其主要元件中除了PA有PAE (Power-Added Efficiency)的考量需要采用GaAs外,其余元件以硅材料进行制作在成本上有相当优势,除非行动装置仅依赖低频2G等级的无线通讯进行对外沟通,使用Si材料制作的PA才有相当利基,因此低频连线装置的RFFE较有机会实现RF-SOI与硅材料的整合。

  物联网和5G成为下一代热点应用已成为业界共识,未来市场对高阶连线装置RFFE的PAE要求将更甚以往,在此考量下,PA选用GaAs、内部人员揭秘ag放水时间。InP等效能表现佳的材料来制作之可能性最高,如此考量性能表现、成本及产品的上市时间,RFFE元件整合的最佳解决方案将以SiP封装形式进行较为适宜。

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